RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
42
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
2349
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link