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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
20.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3500
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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