RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
15.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3635
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link