RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
42
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
3594
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link