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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
71
Por volta de -129% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
15.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3650
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
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