RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
71
Por volta de -196% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
11.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2971
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link