RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
71
Por volta de -145% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
14.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3313
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link