RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
71
Por volta de -209% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
12.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2546
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link