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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
71
Por volta de -115% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
8.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2235
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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