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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
71
Por volta de -137% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
15.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3609
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Comparações de RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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