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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
71
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2240
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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