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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
50
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
50
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
10.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2451
2512
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparações de RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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