RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
50
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2451
2512
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link