RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
48
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
3047
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link