RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de -6% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2284
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link