RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
51
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3023
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link