RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3023
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link