RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3008
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link