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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
49
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
49
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2534
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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