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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
3026
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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