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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
36
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2490
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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