RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
58
Por volta de 34% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
58
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
2591
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link