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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Confronto
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
58
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
7.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
3.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
58
Velocità di lettura, GB/s
7.2
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
3.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
915
2591
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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