Comparação RAM Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Pontuação geral

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

35 50

Por volta de 30% menor latência

Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.3 13.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.9 9.6

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 12800

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2312 2512

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns