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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
73
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
13.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
73
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
1843
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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