RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 73
    Около 52% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 9.1
    Среднее значение в тестах
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    15.2 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2312 left arrow 1843

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
модули RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
модули RAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
модули RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
модули RAM
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
модули RAM
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
модули RAM