RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
27
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
2409
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparações de RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link