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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
2409
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaison des RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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