RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
39
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2339
3004
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link