RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
38
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
31
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2148
2605
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link