RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
10.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2148
2605
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link