RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.1
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
21.1
Скорость записи, Гб/сек
13.6
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
4142
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link