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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.4
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
14.2
21.1
写入速度,GB/s
13.6
17.4
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
4142
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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