RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
74
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
74
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2510
1616
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link