RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
74
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
74
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2510
1616
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link