RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2830
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link