Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 44

Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения

23.7 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.3 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 26
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 23.7
Скорость записи, Гб/сек

8.1 18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 4124

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

модули RAM

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

модули RAM