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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
1,597.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
38
Velocidade de leitura, GB/s
5,022.9
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,597.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
753
2841
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparações de RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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