RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Comparar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Pontuação geral
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
78
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
1,597.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
78
Velocidade de leitura, GB/s
5,022.9
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,597.0
6.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
753
1584
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparações de RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link