RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
78
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
78
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
1584
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
INTENSO 5641152 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link