Comparação RAM PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Pontuação geral

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.7 15.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 38

Por volta de -58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.1 10.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2753 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns