PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Pontuação geral
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Pontuação geral
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.7 left arrow 15.6
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 38
    Por volta de -58% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.1 left arrow 10.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    38 left arrow 24
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.7 left arrow 15.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.0 left arrow 12.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2753 left arrow 2852
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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