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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Pontuação geral
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,069.2
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
106
Por volta de -89% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
106
56
Velocidade de leitura, GB/s
3,273.7
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,069.2
10.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
734
2455
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparações de RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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