RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
77
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.7
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
58
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
6.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1740
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965439-070.A00LF 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link