RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
42
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2001
3147
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link