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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.2
16.8
写入速度,GB/s
7.8
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
3147
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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