RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
58
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
58
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2591
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link