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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
58
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
58
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
1998
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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