RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
58
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
58
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.3
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
1998
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link