Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB против Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Средняя оценка

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Сообщить об ошибке

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Причины выбрать
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 48

Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.4 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.1 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 14200

Около 1.35 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR5
Задержка в PassMark, нс

48 25
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 13.4
Скорость записи, Гб/сек

8.1 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 19200

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Тайминги / частота

no data no data / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2357 3419

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

модули RAM

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM