Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Puntuación global
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 48
    En -92% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 14200
    En 1.35 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR5
  • Latencia en PassMark, ns
    48 left arrow 25
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 13.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 12.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data left arrow no data / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2357 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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