Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 48
    Intorno -92% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.1 left arrow 8.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 14200
    Intorno 1.35 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR5
  • Latenza in PassMark, ns
    48 left arrow 25
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.6 left arrow 13.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 12.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow no data / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2357 left arrow 3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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